Sistema AFM-Raman

Ampliare le conoscenze sulle nanoscale

Renishaw ha sviluppato una tecnologia ottimizzata di accoppiamento diretto che rende il microscopio Raman inVia lo strumento perfetto da abbinare a una grande varietà di SPM, grazie alle funzioni TERS (Tip Enhanced Raman Spectroscopy) e Raman-AFM e alle tecniche in campo vicino (SNOM, NSOM).

Il microscopio Raman inVia è potenzialmente in grado di abbinarsi a qualsiasi dispositivo SPM o AFM, con sistemi completamente integrati disponibili con scanner prodotti da NT-MDT e Nanonics Imaging Ltd.

Visualizzazione delle nanotecnologie e sistemi di analisi per la ricerca e applicazioni industriali

Massimizzare la produttività

Solo Renishaw è in grado di offrire sistemi totalmente integrati, grazie all'adozione di scanner prodotti da NT-MDT e Nanonics Imaging Ltd. I sistemi AFM-Raman di Renishaw permettono di:

• Aumentare il tempo utile: l'integrazione fra parti meccaniche e software è completa, e ciò consente agli operatori di concentrarsi maggiormente sulla raccolta e l'analisi dei dati
• Accelerare l'acquisizione dati: l'abbinamento diretto fra il campione e lo spettrometro Raman assicura un'efficienza ottimale in tutte le configurazioni
• Sfruttare l'esperienza: le prime misure TERS su semiconduttori (pubblicate nel 2001) e le prime misure Raman-AFM/NSOM (pubblicate nel 1995) sono state eseguite utilizzando sistemi Raman di Renishaw
• Sceglere con più libertà: Renishaw dispone di tutta l'esperienza necessaria per garantire la perfetta integrazione del sistema SPM scelto.

Vantaggi dei sistemi Raman-SPM di Renishaw

AFM con Raman
È possibile acquisire un'elevata risoluzione spaziale tramite la scansione dei dati di ispezione e dei dati Raman a campo lontano (in genere, si utilizzano risoluzioni submicrometriche). I dati Raman possono essere registrati e correlati ai dati topografici e alle proprietà elettriche, termiche e ottiche a risoluzione spaziale elevata.

L'analisi Raman di un campione di grafene (vedere l'immagine a destra) ha identificato cinque diversi spessori nel grafene, fra cui regioni monostrato e a due strati. I dati Raman sono stati utilizzati per guidare esperimenti SPM che hanno consentito di effettuare misure topografiche, di capacitanza e conduttività nelle regioni di interesse.

TERS (Raman in campo vicino senza diaframma)
La punta è utilizzata per ottimizzare il segnale Raman in un'area molto localizzata del campione, nell'ambito di un'area più grande illuminata dal fascio laser. Questa configurazione offre la massima risoluzione spaziale rispetto a tutte le tecniche Raman.

La superiore sensibilità spaziale offerta dalla configurazione TERS può essere dimostrata utilizzando materiali stratificati. L'immagine a fianco mostra un confronto fra gli spettri in campo vicino (TERS) e in campo lontano di un sottile strato di silicio su SiGe. La maggiore sensibilità alla superficie offerta da TERS genera una banda Raman di silicio molto più intensa (a una frequenza Raman inferiore rispetto alla banda Raman SiGe della massa).

Per comprendere a fondo in che modo questa tecnologia possa ampliare la vostra conoscenza delle nanoscale o per saperne di più sull'integrazione dei modelli SPM o AFM tramite il microscopio Raman inVia, completare il modulo di richiesta online oppure contattare il più vicino rappresentante Raman Renishaw.