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Semiconduttori

In elettronica l'uso dei materiali per semiconduttori è largamente diffuso. La produzione di molti dispositivi all'avanguardia, fra cui transistor, celle solari e LED, spinge lo sfruttamento delle proprietà dei materiali al limite e questo richiede che essi siano il più possibile omogenei. La spettroscopia Raman è uno strumento ideale per lo studio dei semiconduttori.

Caratterizzazione dei semiconduttori

È possibile utilizzare la spettroscopia Raman per caratterizzare e generare immagini di tutti i semiconduttori (ad esempio Si, carbonio, III-V e polimeri) e superconduttori. Questa tecnica consente di scoprire una grande varietà di informazioni:

  • composizione chimica (ad esempio, frazioni di leghe nei semiconduttori composti)
  • politipi (ad esempio 4H-SiC e 6H-SicC)
  • stati tensionali
  • concentrazione degli elementi droganti
  • spessore dei film sottili
  • tipologia e orientamento delle strutture cristalline
  • qualità dei cristalli
  • uniformità e purezza
  • temperatura del dispositivo

Semplificazione delle analisi

Le analisi Raman sono semplici da eseguire perché non richiedono la preparazione dei campioni, né tecnologie per la creazione di vuoto. Inoltre, non sono soggette agli effetti delle cariche, come invece avviene nella microscopia elettronica.

I sistemi Raman di Renishaw possono essere configurati in modo da soddisfare le esigenze di tutte le tipologie di utenti, dai ricercatori ai tecnici.

Analisi su aree ampie
I sistemi Raman di Renishaw sono in grado di analizzare campioni di grandi dimensioni. Ad esempio, è possibile generare immagini di interi wafer per individuare eventuali contaminanti o stress residui.

Caratterizzazione PL
I sistemi Raman di Renishaw consentono anche di raccogliere e analizzare spettri di fotoluminescenza (PL). Un solo strumento è sufficiente per acquisire sia le informazioni elettroniche che quelle vibrazionali.

Sistemi online
L'inserimento di un sistema Raman di Renishaw nella linea di produzione consente di eseguire online le analisi per il controllo qualità. Diagnosi precoce dei problemi, riduzione degli scarti e aumento della resa.

Risultati affidabili
I sistemi Raman di Renishaw producono dati estremamente ripetibili che forniscono una rappresentazione accurata del campione. Il sistema integrato di calibrazione automatica e di controllo dello stato della macchina assicura un confronto esatto fra dati, a prescindere da quando sono stati acquisti

Osserva una mappa Raman 3D di un wafer di carburo di silicio

Nota sull'applicazione da scaricare

  • Application note:  Photocurrent measurements on the inVia™ confocal Raman microscope Application note: Photocurrent measurements on the inVia™ confocal Raman microscope [en]

    When light interacts with semiconducting materials it can induce electrical currents (‘photocurrents’). These currents carry information about the electronic, optical, and charge transport properties of the material. This information is complementary to that obtainable from Raman scattering, which can identify physical changes in the material properties. This application note demonstrates the capability to simultaneously collect Raman and photocurrent data using the photocurrent mapping module concurrently with an inVia Raman microscope.

  • Application note:  Analyse compound semiconductors with the inVia™ Raman microscope Application note: Analyse compound semiconductors with the inVia™ Raman microscope [en]

    Over the last decade compound semiconductors have attracted a great deal of attention because they offer properties suitable for next generation devices in a wide range of application areas. Historically, the fabrication of these devices has been hindered by material challenges. While these have mainly been conquered at the research level, problems still persist when scaling up to industrial production. Renishaw’s inVia Raman microscope is a non-invasive, non-destructive characterisation tool which provides sub-micrometre information on the vibrational, crystal and electronic structure of materials.

  • Application note:  Analyse silicon carbide (SiC) with the inVia Raman microscope Application note: Analyse silicon carbide (SiC) with the inVia Raman microscope [en]

    The properties of silicon carbide are highly dependent on its crystal structure (it can exist in many polytypes), on the quality of the crystal, and on the number and types of defects present. Manufacturers of silicon carbide raw material and devices need to monitor and control these attributes to enhance yield. The first step in controlling these parameters is to measure them repeatably and quantifiably. Renishaw’s Raman systems are ideal for this.

Ulteriori informazioni

Siamo a disposizione per ogni esigenza

Per ottenere ulteriori informazioni su quest'area applicativa o su applicazioni che non sono state trattate in questa pagina, contattare il nostro team.

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Il California Institute of Technology (Caltech) si è posto l'obiettivo di trovare modi nuovi ed efficaci per produrre combustibili sfruttando esclusivamente luce solare, acqua e anidride carbonica. Uno dei punti focali della ricerca si incentra sulla fotocatalisi e sulla cattura della luce.

Il sistema inVia di Renishaw vince il premio CS Industry Award 2016

Grande gioia nella sede di Renishaw, leader mondiale nella metrologia, per il conseguimento del premio CS Industry Award 2016, nella categoria Metrologia, assegnato al microscopio Raman inVia. I CS Industry Awards sono organizzati dalla rivista Compound Semiconductor e i prodotti vengono votati attraverso il sito Web www.compoundsemiconductor.net. Nel complesso, i premi forniscono un'ottima panoramica dei prodotti più interessanti sviluppati per il settore dei semiconduttori.